湖人半导体（深圳）有限公司

一般的描述

该AOH3110结合了先进的沟槽MOSFET技术具有低电阻包提供非常低RDS（ON）。该器件非常适合于升压转换器和同步整流器的消费者，电信，工业电源和LED背光。

产品目录

VDS                   100V

ID (at VGS=10V) 1.0A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 700mΩ

RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 820mΩ

型号：AOH3110  H3110

厂商：AOS美国万代

封装：SOT-223

包装：2500

批次：16+

类型：MOSFET

描述：100V/1A SOT-223 功率MOSFET

丝印（打字）：H3110

备注：AOS美国万代原装原厂现货

替代：AOH3110 

概述

一般信息

数据列表AOH3110;

SOT-223-4L Pkg Drawing;标准包装2,500包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1A（Ta）不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.9V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）6nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）100pF @ 50VFET 功能-功率耗散（值）3.1W（Ta）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）700 毫欧 @ 900mA，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装SOT-223封装/外壳TO-261-4，TO-261AA